新乡市滤清器有限公司

行业痛点

半导体制造对洁净度要求极为严苛。随着制程节点推进至7nm、5nm甚至3nm，晶圆制造过程中对环境颗粒、化学污染物（AMC）、金属离子及超纯水（UPW）中微量杂质的敏感度呈指数级上升。一颗直径仅0.1μm的颗粒附着在光刻掩模版上，就可能导致整片晶圆上的数百颗芯片报废；光刻胶中ppb级别的金属离子污染会改变光刻胶的感光特性，造成线宽偏移；超纯水中ppt级别的硼、钠等离子在栅氧化层形成过程中会掺杂进入氧化膜，改变阈值电压，直接导致芯片电性能失效。此外，晶圆厂洁净室内空气中存在的酸性气体（HF、HCl、H₂SO₄）、碱性气体（NH₃）、可凝性有机物（硅氧烷、邻苯二甲酸酯）及掺杂气体（硼、磷等），会在晶圆表面形成雾状残留或化学玷污，严重影响良品率。

解决方案与应用：

洁净室环境控制：提供从初效、中效、亚效率高、效率超高的全系列洁净室过滤产品，精准控制晶圆制造、封装测试车间及光刻区的空气洁净度等级（ISO 3至ISO 6级）。

制程设备配套过滤：为光刻机、刻蚀机、PVD/CVD设备及湿法清洗设备提供机载级过滤单元（HEPA/ULPA），保护核心工艺腔室免受颗粒物污染。

高纯化学品与超纯水净化：采用PTFE折叠滤芯、高纯PP滤芯及超滤膜，对光刻胶、显影液、蚀刻液、CMP浆料及超纯水进行终端精滤，将金属离子析出控制在ppb级别以下。

AMC（气态分子污染物）控制：针对先进制程对AMC的严苛要求，提供化学过滤解决方案，有效去除空气中的酸性气体、碱性气体及可凝性有机物。

典型场景：

12英寸/8英寸晶圆厂洁净室（光刻区、刻蚀区、薄膜区）；光刻机物镜吹扫微环境；化学机械抛光（CMP）浆料过滤系统；湿法刻蚀设备化学品循环管路；超纯水（UPW）系统终端抛光；FOUP（晶圆传送盒）气体净化模块。